إذا تم نقش معظم الرقائق المتطورة في هواتفنا الذكية اليوم في 4 أو 5 نانومتر من قبل شركة TSMC و سامسونج، فإن الأخيرة تهدف بالفعل إلى أبعد من ذلك بكثير، من خلال الإعلان عن إطلاق إنتاج رقائق محفورة في 1.4 نانومتر.
أعلنت شركة Samsung Electronics، الشركة الرائدة عالميًا في مجال تكنولوجيا و أشباه الموصلات المتقدمة، أمس عن استراتيجية أعمال محسّنة لأعمالها في مجال تصنيع الرقائق مع إدخال التقنيات المتقدمة في حدث Samsung Foundry Forum السنوي. بعد إطلاق أول رقائق 3 نانومتر في العالم الصيف الماضي، ثم تقديم النسخة الأولى، يعتزم العملاق الكوري بنقش رقائق أرق خلال السنوات القليلة المقبلة.
في الواقع، قالت الشركة إن أعمالها في مجال تصنيع الرقائق التعاقدية ستبدأ في إنتاج رقائق بحجم 2 نانومتر بحلول عام 2025، قبل الانتقال إلى عملية 1.4 نانومتر (SF1.4) بعد ذلك بعامين. في عام 2027. كما تعتزم شركة TSMC التايوانية المنافسة الرئيسية لها الانتقال إلى 2nm بحلول عام 2025، ولكن لم يعلن عن أي خطط لوقت لاحق. ومع ذلك، نتخيل أن العملاق التايواني يعد أيضًا مثل هذا النقش الرائع بحلول نهاية العقد.
قد تصبح الهواتف الذكية أكثر كفاءة في استخدام الطاقة
يُقاس التقدم في تصنيع الرقائق عادةً بالنانومتر، وهو قياس يشير إلى حجم الترانزستورات الصغيرة التي تعمل على رقائق الطاقة. فكلما انخفض الرقم، كانت الترانزستورات أصغر، مما يعني أنه يمكن تعبئة المزيد منها في شريحة واحدة.
من الواضح أن عددًا كبيرًا من الترانزستورات يجعل الرقائق أكثر قوة، لكنها أيضًا تصبح أكثر كفاءة في استخدام الطاقة. أثناء عرض النقش 3 نانومتر (SF3E)، على سبيل المثال، أعلنت شركة سامسونج أنها تتوقع في النهاية خفض استهلاك الطاقة للرقائق بنسبة 35٪، مع زيادة الأداء بنسبة 35٪.
يجب أن تصل هذه الرقائق أولاً إلى هواتفنا الذكية، قبل أن تستخدمها القطاعات الأخرى في أجهزة الكمبيوتر أو السيارات أو المودم أو مراكز البيانات أو حتى الأجهزة المتصلة. بفضل النقوش الدقيقة المتزايدة، يمكن أن يزداد استقلالية هواتفنا الذكية بشكل كبير خلال السنوات القليلة المقبلة. نتوقع أيضًا أن تكون شريحة Snapdragon 8 Gen 2 المقبلة، والتي ستقدمها شركة كوالكوم في منتصف نوفمبر، مثالاً على كفاءة الطاقة.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
