أطلقت شركة سامسونج للتو نوعًا جديدًا من الذاكرة فائقة السرعة، وهي وحدات توسعة CXL. تحتوي أجهزة التخزين هذه على رقاقات DDR5 RAM مترابطة باستخدام تقنية CXL المشتقة من منافذ PCIe 5.0. تهدف أجهزة التخزين هذه إلى العثور عليها في مراكز البيانات وأنظمة الكمبيوتر المخصصة للذكاء الاصطناعي والنمذجة.
أعلنت شركة سامسونج عن إطلاق نوع جديد من وحدات الذاكرة عالية الأداء. تحتوي هذه الوحدات على شرائح DDR5 RAM ومترابطة عبر معيار CXL الجديد المطور منذ عام 2019 من مواصفات أحدث منافذ PCIe 5.0. تكمن الفكرة في تفجير النطاق الترددي بين المعالج وأجهزة التخزين الجديدة هذه والمكونات المختلفة – مع الحفاظ على وقت الاستجابة منخفضًا قدر الإمكان.
تم تصميم وحدات الذاكرة هذه بطريقة يمكنها من التغلب على قيود رقائق ذاكرة الوصول العشوائي التقليدية – وبالتالي يمكن أن تصل السعة القصوى لكل وحدة إلى 1 تيرابايت من البيانات.
هذا المكون ليس مخصصًا في البداية للأجهزة العامة. فالسوق الأساسي لوحدات CXL هذه هو أبحاث الذكاء الاصطناعي والنمذجة بالإضافة إلى العديد من التطبيقات عالية الأداء في مراكز البيانات.
سامسونج تطلق وحدات ذاكرة المستقبل للذكاء الاصطناعي
تعاونت سامسونج مع شركتي إي إم دي و إنتيل لجعل معظم وحدات المعالجة المركزية المتطورة متوافقة مع تقنية CXL. طورت الشركة الكورية أيضًا العديد من تقنيات البرامج حول تصحيح الأخطاء وتحويل الواجهة وتعيين الذاكرة التي تسمح لوحدات المعالجة المركزية ووحدات معالجة الرسومات باستخدام وحدات CXL كما لو كانت ذاكرة وصول عشوائي مشتركة.
يوضح شولمن بارك، أحد مديري سامسونج المسؤولين عن تصنيع رقائق الذاكرة، أن هذا هو حل الذاكرة الأول على أساس شرائح DRAM بواجهة CXL، مما يسمح لها بلعب دور رئيسي في المعالجة المكثفة للبيانات بما في ذلك الذكاء الاصطناعي والتعلم الآلي في مراكز البيانات والبيئات السحابية.
كما أوضح بأن شركة سامسونج سترفع من المستوى والابتكار فيما يخص واجهات الذاكرة التي يمكن أن تتوسع وفقًا لاحتياجات العملاء.
